IBM и Samsung создали сверхбыструю память

ЕРЕВАН, 14 июля. /АРКА/. IBM совместно с компанией Samsung разработала технологию производства энергонезависимой оперативной памяти. Это не только очень быстрый, но и долгоживущий накопитель, который можно будет применять в мобильных устройствах и гаджетах для «умного» дома, сообщает hi-tech.mail.ru со ссылкой на Hightech.fm.

Для создания сверхбыстрой памяти разработчики применили технологию магнитных моментов. Новое запоминающее устройство получило название магнитнорезистивной оперативной памяти (MRAM). Эта технология позволяет производить накопители в сто тысяч раз быстрее современных образцов.

MRAM можно использовать в устройствах с очень низким энергопотреблением, например, для создания гаджетов «умного» дома — лампочки, камеры наблюдения, выключатели, розетки и т. д. Память способна работать почти при полном отсутствии питания.
Новая ступень развития

По словам одного из создателей технологии Дэниела Уорледжа (IBM), MRAM может легко прийти на замену флэш-памяти. Новый накопитель значительно быстрее, проще в эксплуатации и более долговечен. Но планы внедрения технологии в производство пока не раскрываются.--0--

Читайте новости первыми и обсуждайте их — в нашем Telegram

12:59 14.07.2016